低材料的熔点等等。
    但在芯片中，晶界并不是什么好的存在，因为它会降低芯片的性能。
    这就是为什么硅基芯片的制造需要人们花费大力气制造单晶炉并制备单晶硅了。
    就是因为单晶硅整体没有晶界的存在，可以提升芯片的性能。
    石墨烯材料也是一样。
    如果要用石墨烯制造碳基芯片的话，石墨烯层中的晶界，就是第一个问题。
    在这个问题上，华国其实已经找到了对应的解决办法。
    其解决办法其实和韩元这边使用的有些类似。
    他们通过加热碳化硅，通过加热单晶6h-sic（六方碳化硅）脱除si，然后在单晶碳面上分解出石墨烯片层。
    具体制造方式是将经氧气或氢气刻蚀处理得到的样品在高真空下通过电子轰击加热，除去氧化物。
    然后用俄歇电子能谱确定表面的氧化物完全被移除后，将样品加热使之度升高至1250~1450℃后保持二十分钟，从而形成极薄的石墨层，最后通过微机械剥离法得到石墨烯层。
    这样制得的石墨烯层品质很高，而且没有晶界的存在，可以用制造碳基芯片。
    可这种方式无法量产不说，高纯度的六方碳化硅单晶也主要依赖进口。
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