。
    同代的i3处理器，在超频下，性能堪比同代i5，甚至超越。
    但超频有一个坏处，它就跟人体长时间高负荷的劳动一样，容易累到累进医院。
    所以对于芯片的寿命有很大的影响。
    而石墨烯单晶材料的优越性，在这一方面体现的淋漓尽致。
    正因为石墨烯具有如此高的载流子迁移率，使得其可应用于超高频器件，使得thz成为可能（硅基芯片无论再怎么提升，其高频也只能做到ghz级别）。
    如在典型的100  nm通道石墨烯晶体管中，载流子在源漏之间传输只需要0.1  ps。
    除此之外，这一份石墨烯单晶材料的热导率为3800  w/（m·k），是目前人工合成可用于电子器件中最高的。
    相比之下，单晶硅的热导率只有250w/（m·k），两者之间的差距有多大，一眼就能看出来。
    而高热导率，对于大功率器件的界面散热作用显著，毕竟热量能及时传递出去。
    这能够提高器件效率、延长器件寿命，有望用于集成电路的热管理。
    无论是高载流子迁移率还是高热导率，都可以看出石墨烯单晶材料的优秀性能。
    这是硅基芯片无可比拟的。
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