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    将石墨烯晶圆从显影溶液中取出，清晰掉上面残留的液体，透过观察设备，可以清晰的看到这一块石墨烯晶圆表面已经有了相当大的变化。
    没有被碳基光刻胶覆盖的区域已经被显影溶液侵蚀的差不多了，而覆盖了光刻胶的另一半则并没有什么太明显的变化。
    这就是负性光刻胶的功劳了。
    它覆盖在石墨烯单晶晶圆表面后，通过紫外光照，可以在短时间内迅速变态，改变覆盖区域的石墨烯结构，增强其对显影溶液的抗性，让其变得不容易被侵蚀。
    而没有覆盖光刻胶的地方，就会被侵蚀掉，形成与遮光物的形状相反的样子。
    也就是形成掩膜版相反的模样。
    这就是芯片通过光刻机雕刻的最主要原理，也是光刻胶在芯片制造过程中异常重要，甚至堪比光刻机的主要原因。
    检查了一下被显影液侵蚀的石墨烯单晶晶圆，得到各种信息数据后，韩元也是露出了个灿烂的笑容。
    制备出来的碳基光刻胶效果相当不错,  被覆盖的区域经过紫外光源的照射后几乎完整的保留了下来。
    而且这还只是普通能级的紫外光源就有这个效果,  如果是碳基芯片光刻机中使用的极紫外光，那效果会更好。
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