设置

关灯

第四百一十七章:碳基芯片的离子掺杂

技术的学者需要的学习的东西是其他化学课程的数倍以上。
    .......
    实验室中,韩元一边处理着手中的石墨烯单晶晶圆,一边讲解着通过‘轨道杂化技术’进行n/p极掺杂的注意事项。
    “石墨烯单晶材料制成的晶圆在处理手段上和单晶硅晶圆类似,都是通过离子注入手段往里面掺入对应的离子来制造不同的n/p极,进而改变搀杂区的导电方式,使每個晶体管可以通、断、或携带数据。”
    “当然,两者进行掺杂时,使用的离子是不同的。”
    “硅基芯片在进行离子掺杂时,常见的是磷和硼这两种离子,当然也有镓、砷、铝和其它一些元素。”
    “这需要根据芯片的不同用途,甚至蚀刻的电路图不同来进行选择。”
    “而碳基芯片使用的掺杂离子则非上述这些,它使用的是一种金属离子。”
    韩元顿了顿,看了眼摄像头吊了一下观众胃口,然后才接着道:
    “碳基芯片使用的掺杂离子是‘金属银离子’以及‘硅离子’。”
    银和硅?
    直播间里面蹲守学习的各国专家在听到韩元的话语后一愣,随即立刻思索起来。
    银和硅这里两种材料都是非常常见的,硅就不用多说,
 <本章未完请点击"下一页"继续观看!>