当元压的作用下，’下方结’中的大量多余键子便会穿过’基区’，进入到’上方结’中。

    “如前所述，这种键子迁移作用是晶体内部元流的一种可能形式，而且键子迁移作用越高，内部元流也就越大。

    “从’下方结’到’上方结’的键子迁移形成的元流，与’上方结’中本身存在的反向饱和元流加在一起，便是’共发射区’回路模式中，第二个回路的输出元流。

    “在这种情况下，由于’下方结’中的大量键子进入到第二个回路当中，第一个回路中的键子迁移作用便明显很少，根据回路中元压值的设置，以及上述’键穴结’的思想，可以近似认为，第一个回路中的元流只由少量键子与少量空穴结合产生，而且’下方结’中的少量键子填入’基区’空穴后，又在外加元压Va的作用下，源源不断流出’下方结’，’下方结’的空穴便也源源不断出现，从而持续驱动整个回路，使得总体的键子迁移作用持续下去。

    “’上方结’中的反向饱和元流极小，在计算中可以忽略，则元流Ib可近似为从’下方结’到’上方结’的大量键子迁移，而元流Ia是’下方结’中的少量键子迁移，元流Ia与Ib之间近似拥有一种比例关系，即Ib=α*Ia，这个α
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