及雾城文理大学物理系丁跃四人的研究成果。
    即那一篇论文《氮化镓在半导体材料领域上的运用》
    这一篇论文足以引起孟学岩的重视。
    如果说此前丁跃发表的那一篇毕业论文只是给了一个氮化镓半导体材料技术研究的方向，不太够入孟学岩的法眼的话。
    那么这一篇论文，就从实验数据上面，获得了丰硕的研究果实，让孟学岩觉得氮化镓半导体材料技术，终于走向成熟阶段了。
    这意味着一年或者两年内，国内就可以实现使用氮化镓来做半导体元件的材料了。
    如果用氮化镓来做半导体芯片的材料，那么优势将会比硅材料半导体芯片要更强一些。
    孟学岩请来了半导体研究所的几位老人讨论了一下。
    通过这篇论文给出的数据，发现确实是可以实现氮化镓半导体材料技术成熟运用的。
    “江南科技大学的老周和老沈他们，我是知道的，一直都致力于氮化镓半导体材料技术的研究，我们所在这方面暂时没有做过多的研究了，因为我们所在半导体材料领域，做的是碳化硅的研究。”
    其中一名研究员分析着说道。
    “孟所，氮化镓半导体材料技术的成熟，也是可以让我
 <本章未完请点击"下一页"继续观看!>