杂。
    原因有两个。
    第一个是银离子在通过离子注入手段渗入到石墨烯单晶晶圆里面后,  会掺杂在碳晶格里面,  进而提升搀杂区的导电方式。
    就如硅基芯片中进行掺杂磷、硼这些离子一样。
    原理一样,  只不过的是,  石墨烯单晶材料的性质和单晶硅晶圆的性质完全不同。
    第二个也是更重要一个是，单质银离子在通过离子注入机注入到石墨烯单晶材料里面后，通过特定的条件，会形成碳化银离子。
    在正常情况下，银是不会和碳反应的，即便是反应了，也会生成银化碳，化学表达式为ag2c2。
    也就是说碳原子和银原子并不是直接结合的，或者说，此时这两种元素甚至都没有以标准的原子形式存在，更接近于一种离子化合物。
    这种银碳形成的离子化合物，除了用来制造银碳复合材料水溶液制备电化学电容外，并没有太大的用途。
    除了ag2c2（碳化银）外，还有一种碳纳米管—银复合纳米材料，但那并不是发化合物，甚至都不是离子化合结构，仅仅是人工加工出来的物品，对于石墨烯单晶晶圆的加工并没有什么意义。
    这次韩元使用银离子来给石墨烯单晶晶圆进行离子掺杂
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