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第四百一十七章:碳基芯片的离子掺杂

,其整个过程中使用了轨道杂化技术。
    通过计算,可以在一定的温度、压强以及其辅助催化材料的作用下,银离子会和石墨烯单晶中的一部分碳原子进行杂化。
    在这个过程中,碳原子可以利用它的s轨道和p轨道通过杂化作用和银离子形成σ键。
    除此之外,碳原子还能利用剩余的p轨道进行互相叠加,通过pπ-pπ相互作用形成多重键。
    在σ键以及pπ-pπ相互作用形成多重键的作用下,形成碳银杂化轨道离子会与其他未参与作用的碳原子牢牢结合,稳定石墨烯单晶晶圆,为石墨烯单晶晶圆提供一定性能的耐热能力,以及加强石墨烯单晶材料的导电性能。
    这就是银离子注入后的基本用途。
    至于硅离子的用途,那就更简单了。
    如果说银离子的注入,一部分作用可以理解为将高速公路修的更宽敞更平稳,让电子在上面奔跑更加安全的话;那么硅离子的注入,就是给这条高速公路修了收费站。
    它控制着电子这辆车该去哪里,不该去哪里。
    别忘记了石墨烯单晶材料虽然优秀,但它本身是有一个致命缺点的。
    那就是石墨烯的带隙问题。
    这个问题对于碳基芯片来说可是超级致命级
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